型号:SIE854DF-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:10-PolarPAK?(L) | 描述:MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 60A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 14.2 毫欧 @ 13.2A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4.4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 75nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 3100pF @ 50V |
功率_最大 | 125W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 10-PolarPAK?(L) |
供应商设备封装 | 10-PolarPAK?(L) |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
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